لایه نشانی تحت خلاء گروهی از فرایندها می باشد که برای رسوب لایه ای اتم به اتم یا مولکول به مولکول بر روی سطح جامد استفاده می شود. این فرایندها در فشارهای بسیار کمتر از فشار اتمسفر (خلاء) عمل می کنند. لایه های رسوب شده می توانند از ضخامت یک اتم تا چند میلی متر متغیر بوده و ساختارهای مستقل از سطح اصلی را تشکیل می دهند. همچنین می توان از لایه های متعددی از مواد مختلف استفاده کرد که در نتیجه سطح مورد نظر دارای خواص مختلفی شود. نوع این فرایند را می توان بر اساس منبع بخار تعیین کرد. رسوب بخار فیزیکی (PVD) از یک منبع مایع یا جامد و رسوب بخار شیمیایی (CVD) از یک بخار شیمیایی استفاده می کند.


انواع روش های آبکاری تحت خلاء
PVD
رسوب فیزیکی بخار (PVD) از انواع روشهای لایه نشانی خلاء را می باشد که می تواند برای تولید فیلم ها و پوشش های نازک استفاده شود. PVD با فرایندی مشخص می شود که در آن مواد از فاز جامد به فاز بخار می روند و سپس به فاز متراکم فیلم نازک برمی گردند. متداول ترین فرآیندهای PVD کندوپاش و تبخیر (evaporation) است. لایه نشانی تحت خلاء در تولید مواردی که به فیلمهای نازک برای بهبود عملکردهای مکانیکی ، نوری ، شیمیایی یا الکترونیکی نیاز دارند استفاده می شود. به عنوان مثال می توان به وسایل نیمه هادی مانند پنل های خورشیدی، فیلم نازک PET آلومینیومی برای بسته بندی مواد غذای و ابزار برش با روکش نیترید تیتانیوم برای فلزکاری اشاره کرد.
قوس کاتدی(Arc PVD)
رسوب قوس کاتدی یا Arc-PVD یک روش رسوب گذاری بخار فیزیکی است که در آن از قوس الکتریکی برای تبخیر مواد از یک هدف کاتدی استفاده می شود. سپس مواد تبخیر شده روی یک بستر، متراکم شده و یک فیلم نازک تشکیل می دهند. از این تکنیک می توان برای قرار دادن فیلم های فلزی ، سرامیکی و کامپوزیت استفاده کرد.
لایه نشانی پرتو الکترون (Electron-beam PVD)
رسوب بخار فیزیکی پرتو الکترون یا EBPVD ، نوعی رسوب بخار است که در آن یک تارگت آند با پرتو الکترونی ایجاد شده توسط یک فیلامان تنگستن در خلاء زیاد بمباران می شود. پرتو الکترون باعث می شود که اتم های تارگت به فاز گازی تبدیل شوند. سپس این اتم ها به صورت جامد رسوب می کنند و همه چیز موجود در محفظه خلاء را با یک لایه نازک از مواد آند می پوشانند.
رسوب بخار شیمیایی(CVD)
رسوب بخار شیمیایی (CVD) یک روش ته نشینی خلاء است که برای تولید مواد جامد با کیفیت بالا و عملکرد مناسب دلخواه ، استفاده می شود. این فرآیند اغلب در صنایع نیمه هادی برای تولید فیلم های نازک استفاده می شود.
در CVD معمولی ، ویفر (بستر) در معرض یک یا چند پیش ساز فرار، قرار می گیرد ، که بر روی سطح بستر واکنش انجام شده و رسوب مورد نظر را تولید می شود. غالباً ، محصولات جانبی فرار نیز تولید می شوند که با جریان گاز از طریق محفظه واکنش حذف می شوند.
